础。
单晶炉（切克劳斯基法）：用于控制生长大尺寸、低缺陷的单晶硅棒，是未来半导体工业的核心。
高精度半导体材料参数测试仪：包括电阻率、载流子寿命等关键参数的测量设备。
2.晶圆制备与光刻核心设备：
精密晶圆切片机与研磨机：用于将单晶锭精确切割为薄片（晶圆），并完成表面研磨抛光。
步进重复照相机：用于制作光刻掩模版，是将电路设计图形转移到晶圆上的关键，要求图形缩微精度达到微米级。
接触式/接近式光刻机：早期光刻的核心设备，用于将掩模版上的电路图形曝光至涂有光刻胶的晶圆上。
精密掩模版制造设备：包括高精度图形发生器和掩模镀铬、刻蚀设备。
3.薄膜沉积与掺杂工艺设备：
真空镀膜设备：用于在晶圆表面蒸发沉积铝膜，以形成晶体管电极和互联线路。
气相沉积炉：用于外延生长等工艺，在衬底上生长单晶薄膜。
扩散炉：用于对半导体材料进行定域掺杂，以形成PN结，要求温度控制精确至±0.5摄氏度。
4.精密封装与测试设备：
金丝球焊机：用于将晶体管芯与管脚用极细金丝连接。
晶体管自动参数测试分选仪：可对大量晶体管进行快速、自动化的性能测试与分类，大幅提升生产效率与产品一致性。
5.配套精密仪器与基础工业装备：
高倍率金相显微镜与扫描电子显微镜：用于观测晶体管结构缺陷与线路图形。
超纯水与高纯度化学试剂生产线：半导体制造过程中清洗与蚀刻所必需。
高精度恒温恒湿车间建设技术与相关控制系统。
（三）操作实施建议
1.分级清单：将上述设备分为核心必备与优先争取两类，在谈判中把握弹性。
2.技术捆绑：要求设备出口必须附带基础的操作规程、维护手册及初步技术培训。
3.秘密渠道：此部分谈判须在严格保密状态下进行，以“旧设备淘汰”、“二手生产线”等名义，通过第三方或特殊渠道执行，相关协议以秘密备忘录形式签署。
4.价值评估：成立由技术专家和外贸专员组成的联合评估组，负责对对方提供的设备与技术进行准确的价值与技术等级评估。
（四）最终目标
通过此交换，我之目标并非简单获得一两台计算机之利润，而是旨在系统性获得一条与国际水平接轨的、可自主维系的晶体管及早期集成电路研发与中试生产线。此举将使我电子工业水平实现跨越式发展，从根本上确保晶体管计算机之后续迭代，并为国防事业提供更可靠、更先进的计算“心脏”。
四、潜在客户分析与风险评估
1.主要目标客户：
苏联及东欧国家：其自身晶体管计算机研制滞后，在航天、核武、气象等领域需求迫切，时间窗口宝贵。
西欧国家（如法国、西德）：存在独立于美国的倾向，且其科研机构与企业对高性能计算有刚性需求，可能愿意进行“技术置换”。
特定中立国及资源富国：如印度、部分中东产油国，其发展计划需强大计算能力支撑。