nδ/μi）为1.8×10??（国际标准≤1.2×10??）。
三、技术改进与实验数据
为提升产品竞争力，报告期内完成7轮工艺优化实验，关键数据对比如下：
表2：工艺优化前后关键指标对比
指标初期样品（2021Q1）末期样品（2021Q3）国际标杆水平初始磁导率（μi）3950±10%4350±5%≥6000饱和磁通密度（Bs）410mT430mT≥500mT损耗系数（tanδ/μi）2.5×10??1.9×10??≤1.2×10??居里温度（Tc）320℃340℃≥350℃
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